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박막두께측정기

In-Line MetrologyCMP

제품이미지

Process Monitoring

CMP

  • 실시간으로 5 layers 막 두께 및 반사스펙트럼 모니터링
  • 다중채널, 여러 사이트 동시 측정
  • 호스트 제어를 위한 RS232 프로토콜
  • 시스템은 광학 상수 데이터베이스 및 라이브러리 제공
  • 윈도우 기반의 소프트웨어와 함께 작동하기 용이
제품문의 자료실 동영상 제조사
BEST Good
제품구성
제품구성
CMP PROCESS MONITORING
  • One pre-CMP Channel for initial thickness measurement so tool can define the first step CMP time
  • Two Channel for monitoing thickness after the first step CMP
  • Two Channel for Monitoring thickness after the second Step CMP
  • High Power DUV-Visible Light Source
  • Communication Protocol between controller and Host Computer
  • Flexible Fiber Optics for light beam delivery and detecting signal
TFProbe 2.2 software for configuration, measurement and analysis
제품사양
제품사양
CMP PROCESS MONITORING
Wavelength range 400 to 1000 nm
Spot Size 20 mm
Wafer Size 300 mm
Substrate Size
  • 300 mm
Measurable thickness range

20 nm to 10 μm
Measurement Time 2 ms minimum
Accuracy

Better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for

Thermal Oxide sample by using the same optical constants)
Repeatability

<1 Å (1 sigma from 50 thickness readings for 1500 Å Thermal SiO2 on Si Wafer)
옵션
옵션
CMP PROCESS MONITORING
More Channels can be added into the system
Wavelength range can be extended or expanded upon request